--- 产品参数 ---
- 封装 TO251封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ399S-VB MOSFET 产品简介
2SJ399S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 TO251 封装。具有低电压和高电流的特性,适用于需要处理低电压和高电流的应用场合。采用沟道技术,提供了稳定可靠的性能。
### 2SJ399S-VB 详细参数
- **封装**:TO251
- **配置**:单 P-Channel
- **漏极-源极电压(VDS)**:-30V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 56mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-20A
- **技术**:沟道

### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 由于其低电压特性,可用于手机充电器和移动电源等便携设备中,确保高效率和稳定性。
2. **音频放大器**: 在音频放大器中,该器件可用于功率放大电路,提供高质量的音频输出。
3. **电动工具**: 在电动工具中,可用于高效驱动电机,提供强大的性能和可靠性。
4. **车载电子**: 适用于汽车电子中的车身控制模块(BCM)和灯光控制模块等领域,确保高效和可靠的运行。
5. **工业自动化**: 在工业自动化中,可用于各种控制系统和驱动器,提供高效的控制和性能。
这些示例展示了 2SJ399S-VB MOSFET 在各种低电压和高电流应用中的多功能性和实用性。
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