--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ463-T1-A-VB MOSFET 产品简介
2SJ463-T1-A-VB 是一款单 P-Channel MOSFET,采用 SC70-3 封装。具有低电压和中等电流的特性,适用于需要处理低电压和中等电流的应用场合。采用沟道技术,提供了稳定可靠的性能。
### 2SJ463-T1-A-VB 详细参数
- **封装**:SC70-3
- **配置**:单 P-Channel
- **漏极-源极电压(VDS)**:-20V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:-0.6V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流(ID)**:-3.1A
- **技术**:沟道

### 应用领域和模块示例
1. **便携设备**: 由于其小尺寸和低电压特性,可用于便携式设备中的电源管理和信号放大电路,确保高效率和稳定性。
2. **医疗器械**: 在医疗器械中的传感器接口和控制电路中,提供高灵敏度和可靠性。
3. **智能家居**: 适用于智能家居中的传感器网络和控制模块,确保高效和可靠的运行。
4. **工业控制**: 在工业控制中的传感器接口和控制系统中,提供高效的控制和性能。
5. **汽车电子**: 在汽车电子中的传感器接口和控制模块等领域,确保高效和可靠的运行。
这些示例展示了 2SJ463-T1-A-VB MOSFET 在各种低电压和中等电流应用中的多功能性和实用性。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N