--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ529S-VB MOSFET 产品简介
#### 产品概述
2SJ529S-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,采用 TO252 封装。采用槽沟技术设计,具有高效稳定的性能,适用于需要高功率开关和放大功能的应用。
#### 详细参数
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72 mΩ @ VGS = 4.5V
- 61 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -30A
- **技术**: 槽沟

### 应用示例
#### 电源管理
2SJ529S-VB 适用于各种电源管理应用,如 DC-DC 转换器和负载开关。其高漏极-源极电压和低导通电阻使其能够提供高效的电能传输和转换。
#### 汽车电子系统
该 MOSFET 可用于汽车电子系统中的电源管理和控制电路。其高可靠性和高效率可确保汽车电子系统的稳定性和性能。
#### 工业自动化
在工业自动化领域,2SJ529S-VB 可用于控制和开关电路。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为工业控制系统中的理想选择。
#### 高性能 LED 照明
对于需要高性能 LED 照明系统,该 MOSFET 可用于开关和调光应用。其高电流处理能力和低导通电阻确保 LED 驱动器中的高效能管理。
### 总结
2SJ529S-VB P-Channel MOSFET 具有高性能特性、槽沟技术和高功率规格,适用于电源管理、汽车电子、工业自动化和 LED 照明等领域的应用。
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