--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ543-VB MOSFET 产品简介
#### 产品概述
2SJ543-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET,采用 TO220 封装。采用槽沟技术设计,具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于多种功率管理应用。
#### 详细参数
- **封装**: TO220
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 56 mΩ @ VGS = 4.5V
- 48 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -45A
- **技术**: 槽沟
### 应用示例
#### 电源管理系统
2SJ543-VB 在电源管理系统中表现出色,适用于 DC-DC 转换器和负载开关。其低导通电阻和高电流处理能力确保高效的电能传输和转换,提高设备的电源管理效率。
#### 汽车电子
该 MOSFET 适用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理系统和汽车照明系统。其高可靠性和高效率有助于实现更好的电能利用和系统稳定性。
#### 工业控制
在工业控制领域,2SJ543-VB 可用于控制和开关电路。其高电流处理能力和低导通电阻确保在苛刻的工业环境中稳定运行,如电机控制和功率放大器。
#### 高功率 LED 照明
对于需要高功率 LED 照明系统,该 MOSFET 可用于开关和调光应用。其高电流处理能力和低导通电阻确保 LED 驱动器中的高效管理。
### 总结
2SJ543-VB P-Channel MOSFET 具有低导通电阻、高电流处理能力和槽沟技术,适用于电源管理、汽车电子、工业控制和 LED 照明等领域的应用。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N