--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SJ555-VB**
2SJ555-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO3P封装,具备高性能和可靠性。其采用槽沟道(Trench)技术,结合了较高导通电流和较低导通电阻的特点,适用于各种高功率应用。
### 产品详细参数
- **封装类型**: TO3P
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -53A
- **技术类型**: 槽沟道(Trench)
### 应用领域及模块
2SJ555-VB MOSFET 在高功率领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些示例:
1. **电源管理模块**: 由于其高导通电流和较低导通电阻特性,该MOSFET适用于高功率开关电源、逆变器和电机驱动器。其能够有效地处理大功率,提供高效的电能转换和分配。
2. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,MOSFET需要能够承受汽车电气系统的高压和高温环境。2SJ555-VB 的特性使其适用于汽车的电动汽车控制器、电池管理系统和电机驱动器。
3. **工业高频电子**: 由于其低导通电阻和高导通电流特性,2SJ555-VB 可以用于工业高频电子设备,如高频逆变器、感应加热设备和电焊设备,提供高效的功率转换和控制。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,2SJ555-VB MOSFET 可以用于转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,以供给家庭或工业用电。
通过结合高导通电流、较低导通电阻和槽沟道技术,2SJ555-VB MOSFET 是高功率应用的理想选择。其可靠性和性能使其在多个领域和模块中得到广泛应用。
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