--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ634-TL-E-VB 产品简介
2SJ634-TL-E-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO-252封装。它具有-60V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的栅极-源极电压(VGS)、-1.7V的阈值电压(Vth),采用Trench技术,适用于各种功率管理和转换应用。
### 2SJ634-TL-E-VB 详细参数说明
- **型号:2SJ634-TL-E-VB**
- **封装:TO-252**
- **极性:单P沟道**
- **漏源电压 (VDS):-60V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):-1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 61mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):-30A**
- **技术:Trench**

### 适用领域和模块
1. **电池保护电路**
- **应用实例**:2SJ634-TL-E-VB 可用于电池保护电路中的开关功能,其低导通电阻和适中的漏极电流能力使其成为电池管理系统中的理想组件,有助于确保电池的安全运行。
2. **电源开关**
- **应用实例**:在各种电源开关电路中,2SJ634-TL-E-VB 可以作为高效能的开关元件,其低导通电阻和可靠性使其成为电源管理系统中的关键组件。
3. **LED照明**
- **应用实例**:在LED驱动电路中,2SJ634-TL-E-VB 可以用作电流控制器或开关,其高效的开关特性有助于提高LED照明系统的效率和稳定性。
4. **车载电子**
- **应用实例**:由于2SJ634-TL-E-VB 具有耐高温和高电压的特性,可在汽车电子系统中用作开关或保护元件,确保系统在各种环境下稳定运行。
通过这些应用实例,可以看出 2SJ634-TL-E-VB 在各种领域中的广泛应用,展示了其在功率管理和转换领域中的重要性和实用性。
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