--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK1088-M-VB 产品简介
2SK1088-M-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。它具有200V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的栅极-源极电压(VGS)、3V的阈值电压(Vth),采用Trench技术,适用于各种功率管理和转换应用。
### 2SK1088-M-VB 详细参数说明
- **型号:2SK1088-M-VB**
- **封装:TO220F**
- **极性:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):200V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):3V**
- **导通电阻 (RDS(ON)):58mΩ @ VGS=10V**
- **漏极电流 (ID):20A**
- **技术:Trench**

### 适用领域和模块
1. **电源转换器**
- **应用实例**:2SK1088-M-VB 可用于各种电源转换器中,例如DC-DC转换器和开关电源,其低导通电阻和高漏极电流能力使其成为高效能的转换器关键元件。
2. **电动汽车充电桩**
- **应用实例**:在电动汽车充电桩中,2SK1088-M-VB 可以用作开关元件,确保电池在充电过程中的稳定性和安全性。
3. **太阳能逆变器**
- **应用实例**:在太阳能逆变器中,2SK1088-M-VB 可以用于功率转换部分,其高效的开关特性有助于提高整个系统的效率和可靠性。
4. **工业电子**
- **应用实例**:由于2SK1088-M-VB 具有耐高压和高温的特性,可用于工业电子设备中的各种开关电路,确保设备在各种环境下安全运行。
通过这些应用实例,可以看出 2SK1088-M-VB 在各种领域中的广泛应用,展示了其在功率管理和转换领域中的重要性和实用性。
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