--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 产品简介
2SK1657-T2B-A-VB 是一款高性能、单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于低功率和低电流应用。其主要特点包括 60V 的漏源电压(VDS)、0.3A 的漏极电流(ID),以及在不同栅源电压下的导通电阻(RDS(ON)):3100mΩ@VGS=4.5V 和 2800mΩ@VGS=10V。该产品采用槽沟技术制造,适用于需要低功率和高压稳定性的场合。
### 2SK1657-T2B-A-VB 详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: 槽沟技术

### 应用领域和模块举例
2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 适用于以下低功率、高压应用领域和模块:
1. **传感器接口**: 由于其低功率和高压稳定性,2SK1657-T2B-A-VB 可用于传感器接口电路中,提供稳定的电压保护和低功耗控制。
2. **电池管理**: 在需要高压保护的电池管理系统中,这款 MOSFET 可用于过压保护和低功耗控制,延长电池寿命并确保电池安全。
3. **LED 照明**: 在低功率 LED 照明系统中,2SK1657-T2B-A-VB 可用于 LED 驱动器模块,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
4. **便携式设备**: 由于其小封装和低功率特性,这款 MOSFET 可用于便携式设备中的电源管理和电路控制模块,延长电池寿命并提高设备效率。
5. **医疗设备**: 在低功率医疗设备中,2SK1657-T2B-A-VB 可用于电源管理和电路控制模块,提供可靠的电压稳定性和低功耗特性。
综上所述,2SK1657-T2B-A-VB MOSFET 在各种低功率、高压应用中具有广泛的应用前景,能够满足多种领域的需求,特别适用于需要高电压稳定性和低功耗的场合。
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