--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK1669-VB 产品简介
2SK1669-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装,适用于超高压和高功率应用。这款 MOSFET 具备 250V 的漏源电压 (VDS) 和 60A 的漏极电流 (ID),具有低导通电阻和高效率特性,适用于需要超高功率开关和放大电路的场合。采用 Trench 技术制造,提供卓越的性能和可靠性。
### 二、2SK1669-VB 详细参数说明
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 250V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术**: Trench
### 三、应用领域和模块举例
2SK1669-VB 适用于多种超高压和高功率应用,包括但不限于:
1. **工业电源**:
- 在工业电源系统中,2SK1669-VB 可用于高功率开关电源、逆变器和稳压器等电路中,其超高漏源电压和低导通电阻特性使其成为高功率应用的理想选择。
2. **电动汽车充电桩**:
- 在电动汽车充电桩中,2SK1669-VB 可用于控制和管理充电电路,其高电流和低导通电阻特性确保了充电桩的高效率和可靠性。
3. **工业驱动器**:
- 在工业驱动器中,2SK1669-VB 可用于控制和驱动各种高功率电机和设备,例如大型风机、泵等,其高效率和可靠性保证了系统的稳定运行。
4. **电源逆变器**:
- 在电源逆变器中,2SK1669-VB 可用于将直流电转换为交流电,其超高压和电流能力使其成为逆变器系统中的重要组成部分。
通过以上应用场景,可以看出 2SK1669-VB 具有广泛的适用性,能够满足各种超高压和高功率需求的应用场合。
为你推荐
-
BSS816NW-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:40
产品型号:BSS816NW-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N -
BSS7728N-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:38
产品型号:BSS7728N-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSS670S2L-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:35
产品型号:BSS670S2L-VB 封装:SOT23-3 沟道:Single-N -
BSS225-VB一款Single-N沟道SOT89的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:33
产品型号:BSS225-VB 封装:SOT89 沟道:Single-N -
BSS223PW-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:32
产品型号:BSS223PW-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
BSS214NW-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:30
产品型号:BSS214NW-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N -
BSS209PW-VB一款Single-P沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:29
产品型号:BSS209PW-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-P -
BSS192-VB一款Single-P沟道SOT89的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:28
产品型号:BSS192-VB 封装:SOT89 沟道:Single-P -
BSS192P-VB一款Single-P沟道SOT89的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:26
产品型号:BSS192P-VB 封装:SOT89 沟道:Single-P -
BSS138W-VB一款Single-N沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-10 14:25
产品型号:BSS138W-VB 封装:SC70-3 沟道:Single-N