--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 Single-N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
2SK2967-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO3P封装。该MOSFET具有高耐压和高电流特性,适用于各种中高功率开关和电源管理应用。其采用了沟槽技术,具有低导通电阻和高效能量转换的特性,是许多电子设备中的理想选择。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK2967-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**: 250V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 40mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**: 60A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域及模块示例
2SK2967-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:
- **开关电源**:由于其低导通电阻和高漏极电流,适用于高效能量转换的开关电源。
- **电池管理**:可用于充电和放电控制,提高电池充电效率。
2. **汽车电子**:
- **汽车照明**:在汽车前照灯和尾灯的电源控制中,提供稳定的功率输出。
- **电动汽车充电器**:用作电动汽车充电器中的高效开关元件,提供快速充电能力。
3. **工业控制**:
- **电机驱动**:用于中高功率电机的驱动,提供稳定的电流输出。
- **电源开关**:在工业设备中的电源开关模块中,确保稳定的电源输出。
4. **消费电子**:
- **电源管理**:在笔记本电脑、平板电脑等设备的电源管理模块中,提高电源转换效率。
- **LED照明**:在LED照明系统中,提供高效的电源开关控制,延长LED寿命。
综上所述,2SK2967-VB MOSFET具有优秀的性能和广泛的应用领域,是许多电子设备中重要的功能元件。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12