--- 产品参数 ---
- 工作温度 85
--- 产品详情 ---
JANTXV2N6768 产品概述
JANTXV2N6768 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,设计用于高电压和高电流的应用。凭借其卓越的电气特性和可靠性,JANTXV2N6768 成为各种电子设备中的关键组件。其低导通电阻和快速开关能力,使其在电源管理和电机控制等领域表现优异。
产品技术资料
最大漏极-源极电压 (V_DS):75V
最大漏极电流 (I_D):10A
导通电阻 (R_DS(on)):0.3Ω(典型值)
栅极阈值电压 (V_GS(th)):2V - 4V
封装类型:TO-220
产品应用
电源管理:在开关电源和DC-DC转换器中,JANTXV2N6768 作为关键开关元件,提升电源转换效率。
电机驱动:在电机控制电路中,能够有效控制电机的启动和调速。
LED驱动:用于LED照明系统,确保高效的电流控制。
消费电子:广泛应用于各种电子设备的电源模块。
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