--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SK3869-VB**
2SK3869-VB 是一种高压单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装技术。它具有良好的导通特性和高耐压能力,适用于各种要求高效、可靠的电源管理和功率控制应用。
### 详细参数说明
- **封装**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**:650V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:680mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏极电流 (ID)**:12A
- **技术**:平面技术
### 应用领域和模块举例
**电源转换器**
在各种类型的电源转换器中,2SK3869-VB 可用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器中,以提供高效的电能转换和稳定的输出电压。
**电动汽车充电桩**
在电动汽车充电桩中,2SK3869-VB 可用于控制充电过程中的功率传输和电压稳定,确保充电效率和安全。
**工业电机驱动**
在工业电机驱动系统中,2SK3869-VB 可用于控制电机的启停和速度调节,实现高效、稳定的电机运行。
**UPS 系统**
在不间断电源系统中,2SK3869-VB 可用于开关逆变器中,以提供高效率的电能转换和稳定的输出电压。
**电源适配器**
在各种类型的电源适配器中,2SK3869-VB 可用于控制输入电压和输出电压,实现高效率的能源转换和稳定的电压输出。
通过这些应用实例,可以看出2SK3869-VB 在各种高压要求的电源管理和功率控制领域都有着广泛的应用前景。
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