### 2SK3879-VB 产品简介
2SK3879-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO-220F封装，具有高漏源电压和低导通电阻。其设计基于SJ_Multi-EPI技术，能够提供稳定可靠的性能，在高压应用中表现出色。广泛应用于电源管理、开关电源、照明控制等领域。
### 2SK3879-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO-220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：800V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：5A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 适用领域和模块举例
1. **电源管理**：2SK3879-VB 在高压电源管理中具有优异的性能，可用作开关电源中的开关元件，提供高效的电源转换和稳定性能。
2. **开关电源**：该型号的MOSFET适用于各种开关电源设计，包括充电器、逆变器和DC-DC转换器等。其高漏源电压和低导通电阻使其在高压环境下能够有效地控制电流。
3. **照明控制**：2SK3879-VB 可用于LED照明控制中，作为调光和开关控制的关键组件。其高漏源电压和低导通电阻有助于提高照明系统的效率和稳定性。
综上所述，2SK3879-VB 是一款适用于高压环境的高性能MOSFET，可广泛应用于电源管理、开关电源和照明控制等领域，为系统设计提供稳定可靠的性能。
