--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK4073LS-VB MOSFET 产品简介
2SK4073LS-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于中压应用。采用了 Trench 技术,具有极低的导通电阻和高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高功率的中压功率管理应用。
### 2SK4073LS-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 4.5V
- 2.6mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 210A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **电动汽车**: 2SK4073LS-VB 适用于电动汽车中的电机驱动器和电池管理系统,能够提供高效的功率转换和高电流承载能力,确保汽车的高性能和安全性。
2. **工业控制**: 这款 MOSFET 可以用于工业控制设备中的中压电源模块和驱动器,确保设备的稳定运行和高效能。其高电流承载能力适合各种工业环境中的高功率应用。
3. **电源模块**: 在需要高功率密度的电源模块中,2SK4073LS-VB 可以用于直流-直流转换器、直流-交流逆变器等应用,其低导通电阻和高漏源电流承载能力使其成为高效能电源的理想选择。
4. **UPS**: 在不间断电源系统中,这款 MOSFET 可以用于高功率的逆变器模块,确保系统在停电时能够提供稳定的电力输出。其高电流承载能力和高效能特性使其成为 UPS 系统中的关键部件。
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