--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK643-VB MOSFET 产品简介
**型号:** 2SK643-VB
**封装:** TO3P
**配置:** 单N沟道
**技术:** SJ_Multi-EPI
2SK643-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,适用于需要承受高电压和高电流的应用。它具有优异的漏源电压和导通电阻特性,适合用于各种高性能功率电子系统中。TO3P封装提供了良好的散热性能和可靠性,使其在高功率应用中表现出色。
### 2SK643-VB MOSFET 详细参数
- **VDS (漏源电压):** 600V
- **VGS (栅源电压):** ±30V
- **Vth (阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON) (导通电阻):** 380mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流):** 11A
- **封装类型:** TO3P
- **技术:** SJ_Multi-EPI
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### 2SK643-VB 的应用领域和模块示例
#### 应用领域
1. **电力转换系统:**
2SK643-VB 可以用于各种需要高电压和高电流处理能力的电力转换系统中,如逆变器、变频器和电力因素校正器等。其优秀的性能能够确保系统的高效稳定运行。
2. **电动汽车充电桩:**
在电动汽车充电桩中,需要高性能的功率器件来实现高效率的能量转换。2SK643-VB 的高电压和电流能力使其成为这些充电桩中的理想选择。
3. **工业自动化:**
工业自动化系统中需要稳定可靠的功率器件来实现精确的控制和高效的电力转换,2SK643-VB 可以满足这些要求。
#### 模块示例
1. **逆变器模块:**
2SK643-VB 可以用于各种逆变器模块中,例如用于太阳能和风能系统中的逆变器。其高电压和电流处理能力使其成为这些模块中的重要组成部分。
2. **变频器模块:**
变频器广泛应用于工业驱动系统中,2SK643-VB 可以作为变频器模块的关键元件,确保系统的高效稳定运行。
3. **电力因素校正模块:**
在电力因素校正器中,2SK643-VB 可以用作开关器件,帮助调整电路的功率因数,提高能源利用率。
综上所述,2SK643-VB 作为一款高压 N 沟道 MOSFET,在各种功率电子系统中都能发挥重要作用,特别适用于需要高效能和高可靠性的应用。
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