--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**30GC8205-VB**是一款由VBsemi生产的双N+N-沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。该器件具有高导通电阻和低开启电压的特点,适用于低功率、低电压的应用场景。30GC8205-VB在电源管理、电池保护和消费类电子产品等领域具有广泛的应用前景。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-6
- **配置**:双N+N-沟道
- **漏源电压(VDS)**:20V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **门限电压范围(Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS = 2.5V
- 24mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流(ID)**:6A
- **技术类型**:沟道技术
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### 三、应用领域和模块示例
**30GC8205-VB**适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:
- 在低功率、低压的电源管理模块中,30GC8205-VB可以作为开关管使用,提供高效的电能转换和稳定的电压输出,适用于便携式设备和无线传感器。
2. **电池保护**:
- 在低压电池保护电路中,该MOSFET可以用于过充和过放保护,确保电池的安全使用,适用于智能手环和智能家居设备。
3. **消费类电子产品**:
- 在智能手机和平板电脑等消费类电子产品中,30GC8205-VB可以用于电源管理和电路保护,保证设备的安全稳定运行。
4. **医疗设备**:
- 在便携式医疗设备中,该器件可以用作功率开关和电压稳定器,确保设备的高效稳定运行,适用于家庭医疗设备和便携式监护仪器。
5. **LED照明**:
- 在低功率LED照明系统中,30GC8205-VB可以用作LED驱动电路的开关管,支持高效的电流控制和稳定的光输出,适用于室内照明和装饰灯具。
30GC8205-VB凭借其低功率特性和可靠性,适用于各种低功率、低电压的电力电子应用,是电子工程师在设计中的理想选择。
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