### 一、产品简介
**产品型号：3QN0402-VB**
3QN0402-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO-263封装。具有40V的漏源电压（VDS）、20V的栅源电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）以及280A的漏极电流（ID）。这款MOSFET采用Trench技术，具有低导通电阻和高电流承受能力，适用于需要高性能功率开关的应用。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**：TO-263
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1.68mΩ@VGS=4.5V, 1.4mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：280A
- **技术**：Trench
### 三、应用领域和模块示例
**1. 电动汽车**
3QN0402-VB 在电动汽车的电动驱动系统中具有重要应用。其高电流承受能力和低导通电阻特性使其成为电动汽车控制器中的关键元件。
**示例**：在电动汽车控制器中，3QN0402-VB 可以用作功率开关元件，控制电机的启停和转速，实现对电动汽车的精准控制。
**2. 工业电源**
在工业电源领域，3QN0402-VB 可以用于高性能开关电源和电机驱动器。其高导通电阻和高漏极电流特性有助于提高系统效率和响应速度。
**示例**：在工业电源中，3QN0402-VB 可以用作开关元件，控制电源的输出，提高系统的稳定性和效率。
**3. 服务器电源**
在服务器电源模块中，3QN0402-VB 可以用于高功率密度的设计。其高性能特性有助于提高服务器电源的效率和可靠性。
**示例**：在服务器电源模块中，3QN0402-VB 可以作为功率开关元件，实现对服务器电源的高效能控制，提高服务器系统的性能。
通过以上应用示例，可以看出3QN0402-VB 在高功率、高效率和高可靠性要求的各个领域中发挥着重要作用。
