--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(3X3)
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**产品型号:440N10N-VB**
440N10N-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。具有100V的漏源电压(VDS)、20V的栅源电压(VGS)、1.8V的阈值电压(Vth)以及21A的漏极电流(ID)。这款MOSFET采用Trench技术,具有低导通电阻和高电流承受能力,适用于需要高性能功率开关的应用。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:DFN8(3X3)
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:100V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:36mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:21A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
**1. 电源逆变器**
440N10N-VB 可以用于电源逆变器中的功率开关控制。其高漏源电压和低导通电阻特性使其成为逆变器模块中的关键元件。
**示例**:在太阳能逆变器中,440N10N-VB 可以用作逆变器的开关元件,实现将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
**2. 电动汽车动力管理**
在电动汽车动力管理系统中,440N10N-VB 可以用作电机控制开关,提供高效的动力管理。
**示例**:在电动汽车驱动系统中,440N10N-VB 可以用作电机控制开关,控制电机的启停和转向,提高驱动系统的效率和性能。
**3. 工业自动化**
在工业自动化领域,440N10N-VB 可以用于工业设备的功率开关控制,提供稳定的电源输出。
**示例**:在工业机器人控制系统中,440N10N-VB 可以用作电源开关,控制机器人的运动和操作,提高生产效率。
通过以上应用示例,可以看出440N10N-VB 在需要高性能功率开关控制的各个领域中发挥着重要作用。
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