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深圳市华沣恒霖电子科技有限公司

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UFB15C12E1BC3N

型号: UFB15C12E1BC3N

--- 产品参数 ---

  • 工作温度 85

--- 产品详情 ---

深入解析UFB15C12E1BC3N:1200V 15A SiC全桥模块的技术优势与应用

随着电动汽车(EV)、可再生能源及工业自动化技术的快速发展,高效能的功率半导体器件在现代电力电子系统中扮演着重要角色。UFB15C12E1BC3N作为一款1200V、15A的硅碳化物(SiC)全桥模块,凭借其卓越的性能和多样的应用前景,成为市场上备受关注的产品之一。

产品详情

UFB15C12E1BC3N SiC全桥模块的主要特点包括:

电压和电流

  • 额定电压高达1200V,额定电流为15A,适用于高压和高功率的电力电子应用。

导通电阻

  • 在全桥配置下,模块的导通电阻(Rdson)为70 mΩ,确保在开关过程中实现低能量损耗,提高整体系统效率。

封装与材料

  • 采用银烧结(Silver sinter)工艺进行芯片连接,提升了模块的热导性和可靠性,适应高温和高负载环境。

门极驱动特性

  • 最佳工作门极驱动电压范围为0V到15V,最大栅极源极电压(VGS)从-20V到+20V,提供灵活的驱动选择。

热特性

  • 每个芯片的热阻(Rthjc)低至1.0 °C/W,确保模块在高功率运行时保持良好的散热性能,延长使用寿命。

体二极管特性

  • 体二极管的正向电压降低至1.4V,降低了开关损耗,提高了整体系统效率。

技术参数

以下是UFB15C12E1BC3N的主要技术参数:

  • 额定电压:1200V
  • 额定电流:15A
  • 导通电阻:70 mΩ(全桥配置)
  • 热阻(Rthjc):1.0 °C/W(每个芯片)
  • 体二极管正向电压降:1.4V
  • 门极驱动电压范围:0V至15V
  • 最大VGS:-20V至+20V
  • 封装类型:E1B

应用领域

UFB15C12E1BC3N SiC全桥模块广泛应用于以下领域:

电动汽车充电:作为电动汽车充电设备的核心组件,UFB15C12E1BC3N能够提供高效的电能转换,支持快速充电,提高充电效率。

能源存储系统:在可再生能源存储(如太阳能、风能)系统中,UFB15C12E1BC3N可实现高效的能量管理和转换,提升系统的整体性能,降低能耗。

太阳能逆变器:在光伏发电系统中,UFB15C12E1BC3N可用于太阳能逆变器,帮助实现高效的直流转交流电能转换。

工业应用:广泛应用于工业电源和驱动系统中,UFB15C12E1BC3N能够提供稳定的功率输出,满足各种工业设备的需求。

结语

UFB15C12E1BC3N作为一款高性能的1200V、15A SiC全桥模块,凭借其卓越的电气特性和广泛的应用领域,成为电动汽车、可再生能源及工业自动化设备中的理想选择。随着全球对高效能和可持续能源解决方案的需求不断增加,UFB15C12E1BC3N将为未来的电力电子设备提供强大的支持,助力实现更高效、更可靠的能源管理。选择UFB15C12E1BC3N,意味着选择了高效、可靠的功率半导体解决方案,为您的产品增添竞争优势。

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