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深圳市华沣恒霖电子科技有限公司

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UHB50SC12E1BC3N

型号: UHB50SC12E1BC3N

--- 产品参数 ---

  • 工作温度 85

--- 产品详情 ---

UHB50SC12E1BC3N:高效能1200V 50A SiC半桥模块的应用与优势

随着电动汽车(EV)、可再生能源和工业自动化的快速发展,市场对高效能电力电子组件的需求日益增加。Qorvo推出的UHB50SC12E1BC3N SiC半桥模块,凭借其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了电力电子设计中的一款理想选择。本文将深入探讨UHB50SC12E1BC3N的产品特点、技术参数及其应用领域,帮助您更好地理解这一产品如何满足现代电力系统的需求。

产品详情

UHB50SC12E1BC3N是一款1200V、50A的SiC半桥模块,专为高效能电力转换设计。其主要特点包括:

  • 高电压和电流能力:模块可承受1200V的高电压,最大输出电流为50A,适用于高功率应用。
  • 超低导通电阻:Rdson为19 mΩ,确保在高负载条件下的低功耗和高效率。
  • 银烧结芯片连接:采用银烧结技术,提升了模块的热传导性能和可靠性。
  • 灵活的栅极驱动:最佳操作电压范围为0V至15V,最大栅极源极电压(VGS)在-20V至+20V之间,适应多种驱动电路。
  • 极低的热阻:每个芯片的热阻(Rthjc)仅为0.46 °C/W,保证了良好的散热性能。
  • 超低的体二极管正向压降:体二极管的正向压降仅为1.2V,进一步提高了系统的整体效率。
  • E1B封装:紧凑的E1B封装设计,便于集成到各种电力电子设备中。

技术参数

参数数值
最大电压1200V
最大电流50A
导通电阻(Rdson)19 mΩ
热阻(Rthjc)0.46 °C/W
体二极管正向压降1.2V
栅极驱动电压范围0V至15V
最大VGS-20V至+20V
封装类型E1B

应用领域

UHB50SC12E1BC3N半桥模块非常适合用于以下应用场景:

  1. 电动汽车充电:在电动汽车充电站中,提供高效的电力转换,缩短充电时间,提高用户体验。
  2. 能源存储系统:在电池储能系统中,优化能量转换和管理,提升整体效率。
  3. 太阳能逆变器:在光伏发电系统中,确保高效的能量转换,将太阳能有效转化为可用电力。
  4. 工业应用:在工业自动化设备中,提供可靠的电力控制,提升设备的运行效率和稳定性。

解决客户痛点

在现代电力电子应用中,客户常常面临着高能耗、散热问题和设备集成难度等挑战。UHB50SC12E1BC3N通过其超低导通电阻和极低的热阻,显著降低了能耗和发热量,提升了系统的整体效率。同时,灵活的栅极驱动电压范围和紧凑的封装设计,使得该模块能够轻松集成到现有系统中,减少了设计和安装的复杂性。

结语

UHB50SC12E1BC3N SiC半桥模块凭借其卓越的性能参数和广泛的应用领域,成为电动汽车充电、能源存储、太阳能逆变器等高效能电力电子设备的理想选择。随着全球对清洁能源和高效能设备的关注不断增加,选择合适的电力电子组件将是提升系统性能的关键。希望本文能帮助您更深入地了解UHB50SC12E1BC3N,助力您的电力电子设计。如果您有更多问题,欢迎随时咨询我们。

 

 


 

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