### 产品简介
**型号：4965NG-VB**
4965NG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻和高达100A的漏极电流承载能力，适用于高功率应用和要求高效能量转换的电子系统。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：100A
- **技术**：沟槽（Trench）
### 应用领域和模块
4965NG-VB 单N沟道MOSFET 在以下领域和模块中有广泛的应用：
1. **电源模块**：用于高效能量转换的电源模块，如开关电源和电源适配器，能够提供稳定的电压输出和高效的能量转换。
2. **电动工具**：作为电动工具的电池管理和电机控制器部件，支持高功率操作和长时间的持续使用。
3. **电动车辆**：用于电动汽车和混合动力车辆的电池管理系统和电机驱动控制，提供高效的电能转换和动力输出。
4. **工业自动化**：在工业控制系统中作为高压开关和功率逻辑控制器，确保设备的可靠运行和高效能量管理。
5. **服务器和数据中心**：用于服务器和数据中心的电源管理和功率分配，支持高性能计算和数据处理需求。
4965NG-VB 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和稳定的电气特性，是多种高功率和高效能量转换应用的理想选择，能够满足现代电子设备对性能和可靠性的高要求。
