--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、4998W-VB 产品简介
4998W-VB是一款双N沟道MOSFET,采用SOP8封装。它设计用于高电压和高电流应用环境,具有优异的功率开关特性和可靠性。采用先进的沟槽(Trench)技术制造,4998W-VB适合需要高效能和高功率密度的电源管理和功率控制应用。
### 二、4998W-VB 详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 双N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 63mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 5.8A
- **技术**: 沟槽(Trench)
### 三、应用领域和模块示例
1. **电源管理**:
- 4998W-VB可用于高电压开关电源和DC-DC转换器中,支持高效能的能量转换和电源管理,适用于服务器电源、工业电源和通信设备。
2. **电动车辆**:
- 在电动车辆的电池管理和电动机驱动系统中,4998W-VB用于控制电池电压和电机功率,提升车辆的能效和驾驶性能。
3. **工业自动化**:
- 在工业控制系统中,特别是需要高电压和高功率密度的场合,4998W-VB可以用作电机控制器和电源管理单元,确保设备的稳定运行和高效能。
4. **消费电子**:
- 在高性能笔记本电脑和台式计算机的电源管理模块中,4998W-VB提供可靠的功率转换和电压调节,支持设备的高性能运行和长时间使用。
4998W-VB因其高电压容许值、低导通电阻和高效能特性,适用于多种需要高功率和高效能的电子设备和系统。
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