### 产品简介
49CN10N-VB是一款单通道N型MOSFET，采用先进的Trench技术设计，封装为TO252。它具有100V的漏源电压额定值，适用于中等功率要求的电子应用。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：20（±V）
- **开启电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**：40A
- **技术**：Trench
### 应用领域及模块
49CN10N-VB适用于多种电子应用，特别是在需要中等电流和较高电压的场合：
1. **电源管理模块**：在电源管理应用中，49CN10N-VB可以用作开关电源和稳压器的关键组件，提供稳定的电能转换和高效的电压调节。
2. **电动车辆充电器**：由于其高电压和中等电流特性，49CN10N-VB适合用于电动车辆充电器的电源开关和功率管理。
3. **工业控制系统**：在工业自动化和控制系统中，49CN10N-VB可以实现高电压开关和稳定的功率输出，确保设备的可靠运行和安全操作。
4. **LED驱动器**：在LED照明应用中，49CN10N-VB可以作为LED驱动器的功率开关，支持高功率LED的驱动和调光功能。
49CN10N-VB MOSFET通过其高电压额定值和适中的导通电阻，在多个领域提供了稳定和可靠的电力解决方案。
