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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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4N03L03-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4N03L03-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:4N03L03-VB**

4N03L03-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有极低的导通电阻和高达120A的漏极电流承载能力,适用于需要高效能量转换和高电流驱动的电子应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**:TO220
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源电压(VDS)**:30V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 4mΩ @ VGS=4.5V
 - 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:沟槽(Trench)

### 应用领域和模块

4N03L03-VB 单N沟道MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **电源模块**:用于高功率电源转换模块,如电源适配器、开关电源和DC-DC转换器,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电动工具**:作为电动工具和电动车辆中的电池管理和电机驱动控制器部件,支持高功率操作和长时间的持续使用。

3. **电动车辆**:用于电动汽车和混合动力车辆的电池管理系统、电机控制和动力输出,满足高效能量转换和高电流需求。

4. **工业应用**:在工业自动化设备、机器人技术和自动化控制系统中,作为高压开关和功率逻辑控制器,确保设备的可靠运行和高效能量管理。

5. **服务器和数据中心**:用于服务器电源管理、数据中心的功率分配和电源转换,支持高性能计算和数据处理的要求。

4N03L03-VB 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和稳定的电气特性,是多种高功率和高效能量转换应用的理想选择,能够满足复杂电子系统的需求,提升系统性能和能效。

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