--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 4P0407-VB 产品简介
4P0407-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,具备高电流处理能力和低导通电阻特性。该器件采用槽道技术(Trench),适用于需要负载开关和功率控制的高性能应用。
### 4P0407-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **器件配置**:单 P 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:-40V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-110A
- **技术特点**:槽道技术(Trench)
### 应用领域和模块示例
4P0407-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是几个示例:
1. **电源管理**:适用于高性能负载开关和功率管理电路,如高效率开关电源和DC-DC转换器。这款 MOSFET 可以帮助实现低能耗和高功率密度的电源解决方案,适用于服务器电源、通信设备和工业电源系统。
2. **电动车辆**:在电动车辆中,特别是电动汽车和电动工具中,4P0407-VB 可以用作电机驱动电路的关键开关器件。其高电流承受能力和低导通电阻可以有效提升电动车辆的动力性能和能效。
3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,这款 MOSFET 可以应用于各种负载开关控制,如电动阀门、泵浦控制和加热元件控制。其高性能和稳定性能确保了工业设备的可靠运行。
4. **航空航天**:在航空航天领域,4P0407-VB 可以用于飞行器电源管理和控制电路中,具备耐高温和高可靠性的特性,确保在极端环境下的稳定运行。
5. **医疗设备**:在医疗设备的电源管理和控制中,这款 MOSFET 可以帮助实现高效能和精确控制,如医用成像设备、激光器控制和高频电疗设备等。
综上所述,4P0407-VB TO220 MOSFET 由于其高电流处理能力、低导通电阻和稳定性能,适用于多种高性能和高功率密度要求的电源管理和功率控制应用场合。
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