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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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4P0409-VB TO263一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4P0409-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 产品简介

4P0409-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO263封装。该器件具备-40V的漏极电压(VDS)和±20V的栅极电压(VGS)额定值,阈值电压(Vth)为-2.5V。采用Trench技术,具有低导通电阻(RDS(ON)),在VGS为4.5V时为8.28毫欧,在VGS为10V时为4.1毫欧,能够提供最大-110A的漏极电流(ID)。适用于高功率负载开关和电流控制应用,具有优异的导通特性和热稳定性。

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 详细参数说明

| 参数      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封装      | TO263                          |
| 配置      | 单P沟道                        |
| 漏极电压 (VDS) | -40V                          |
| 栅极电压 (VGS) | ±20V                          |
| 阈值电压 (Vth) | -2.5V                          |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 8.28mΩ                         |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V  | 4.1mΩ                          |
| 漏极电流 (ID) | -110A                          |
| 技术      | Trench                         |

### 4P0409-VB TO263 MOSFET 的应用领域和模块举例

#### 应用领域
1. **电动车辆**:用于电动汽车的电池管理系统和马达控制单元中的功率开关,确保高效能量转换和电池保护。
2. **工业电子**:在工业控制设备中的电源管理和电流控制模块,如PLC控制单元和电机驱动器。
3. **电源转换器**:用于DC-DC转换器和电源逆变器中的高功率开关模块,提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
4. **通信设备**:在通信基站和数据中心设备中的电源分配单元,确保设备的稳定运行和电能转换效率。

#### 模块举例
1. **电动汽车驱动系统**:4P0409-VB 可用于电动汽车的电池管理系统和马达控制单元,实现高效的电池充放电控制和能量管理。
2. **工业自动化设备**:在工业自动化控制系统中的功率开关模块,提供可靠的电力管理和高效的电流控制。
3. **电源分配单元**:用于数据中心和通信基站等设备中的电源管理模块,确保设备长时间的稳定运行和节能效果。

由于其负电压漏极电压额定值和高电流承受能力,4P0409-VB TO263 MOSFET 是适用于多种高功率负载开关和电流控制应用的理想选择,能够提供稳定的电力管理和高效的能量转换。

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