--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、50N03-VB TO251 产品简介
50N03-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO251封装。该产品具有低电压漏极-源极电压(VDS),适用于需要高电流承载和低导通电阻的电源开关和功率管理应用。采用Trench技术设计,具有优异的导通特性和高效率,适合要求高性能和高可靠性的电子设备设计。
### 二、50N03-VB TO251 详细参数说明
- **封装类型**:TO251
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:50A
- **技术**:Trench
### 三、适用领域和模块举例
50N03-VB TO251 MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理**:
- 在低压电源管理电路中,如笔记本电脑和平板电脑的电源开关和电池管理系统中,该MOSFET可以用于高效能的DC-DC转换器和充电电路,提供稳定和高效的电能转换。
2. **电动工具**:
- 在电动工具和家用电器的电机驱动系统中,50N03-VB 可以用作电机控制开关,支持设备的高功率输出和持续工作性能。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中的电动车辆动力管理和电池控制中,该MOSFET可以用于电池保护和电动汽车动力传输系统的高效管理,确保车辆的高性能和长续航里程。
4. **工业自动化**:
- 在工业控制系统和自动化设备中,50N03-VB 可以用于电源开关和电流控制,支持工厂设备的稳定运行和高效能生产。
5. **消费电子**:
- 在高性能消费电子产品中,如游戏机和高性能计算机的电源管理和功率分配电路中,该MOSFET可以帮助提升设备的性能和能效,提供优质的用户体验。
以上示例展示了50N03-VB TO251 MOSFET 的多样化应用场景,适用于多种要求高电流承载和低导通电阻的电子设备和系统。
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