--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
50N25M5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装,具备优秀的功率特性和高效能转换能力,适用于多种电子应用场合。
### 详细参数说明
- **型号:50N25M5-VB**
- **封装类型:TO263**
- **配置:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):30V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):50A**
- **技术:Trench**

### 应用领域和模块举例
50N25M5-VB适用于多种高性能功率开关应用,以下是几个具体的应用示例:
1. **电源模块**:用于设计高效率的DC-DC转换器和电源管理模块,如服务器电源、工控电源和通信设备的电源管理单元,提供稳定的电流输出和高效的功率转换。
2. **电池管理系统**:在电动汽车、电动工具和便携式电子设备的电池管理系统中,作为高性能的电池保护开关和充放电控制器,确保电池组的安全性和长寿命。
3. **汽车电子**:应用于汽车电子系统中的功率开关和驱动控制,例如电动窗控制、电动座椅调节和车载充电器,提供稳定可靠的电力输出。
4. **工业自动化**:在工业自动化设备中,用于电机驱动器、电动阀门控制和工业机器人的电源控制,实现高效能和精确的电气控制。
通过以上应用示例,可以看出50N25M5-VB具有广泛的应用潜力,特别适用于需要高功率密度、高效率和稳定性的电子系统和设备。
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