--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**58YW-VB**
58YW-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-6封装。它具有漏源极电压(VDS)为60V的特性,适合中高压应用。采用Trench技术制造,具备较低的导通电阻和适中的电流承载能力。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-6
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:35mΩ @ VGS = 4.5V, 30mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:Trench
### 三、应用领域和模块举例
**58YW-VB SOT23-6** MOSFET 可以在多种领域和模块中得到应用,以下是几个具体的示例:
1. **电源管理**:适用于DC-DC转换器中的功率开关,如便携式电子设备、无线通信设备和消费电子产品中的电源管理电路。
2. **汽车电子**:用于汽车电子系统中的电池管理、电动窗控制、灯具控制和其他电动汽车系统的功率开关。
3. **工业控制**:在工业自动化设备中作为电机控制、驱动器和电源单元的关键组件,确保设备的高效能和稳定性。
4. **LED照明**:作为LED驱动器中的开关器件,控制LED灯具的亮度和工作模式,提高能效和延长灯具寿命。
综上所述,**58YW-VB SOT23-6** MOSFET因其适中的电流和较低的导通电阻,在各种需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用中都有广泛的应用前景。
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