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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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5LN02C-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5LN02C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23-3
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

5LN02C-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有低功率消耗、小型化和高效能的特点,适合于需要轻量级和低功耗的电子应用场合。

### 详细参数说明

- **型号**: 5LN02C-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3100mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **便携式设备**:
  5LN02C-VB 适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑等,用作低功耗的电源开关或电流控制器,帮助延长电池使用时间并提升设备的续航能力。

2. **传感器模块**:
  在传感器模块中,例如温度传感器、湿度传感器等,该型号 MOSFET 可以作为信号调理电路的关键部件,实现对传感器信号的精确控制和处理。

3. **小功率电源**:
  由于其小型化和低功率消耗特点,5LN02C-VB 可以用于小功率电源模块,如充电器、USB 供电设备等,提供稳定的电压输出和高效的能量转换。

4. **可穿戴设备**:
  在智能手表、健康监测器等可穿戴设备中,该型号 MOSFET 可以用作电源管理和信号处理部件,支持设备的小型化设计和长时间的可靠运行。

5. **低功耗控制电路**:
  在需要低功耗控制的电子电路中,5LN02C-VB 可以作为逻辑电平转换、开关控制等应用的关键组成部分,提供高效的电路操作和节能的功能。

通过以上示例,展示了 5LN02C-VB MOSFET 的多功能应用场景,突显了其在便携式设备、传感器模块、小功率电源和可穿戴技术中的广泛应用和优异性能。

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