### 产品简介
**型号：5R399P-VB**
5R399P-VB 是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，具备优秀的电气特性和可靠性。该型号适用于需要高电压和中等电流承载能力的功率控制和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：550V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：260mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：18A
- **技术**：Plannar
### 应用领域和模块
5R399P-VB 适用于以下多个领域和模块，提供稳定的功率控制和高效的能量转换：
1. **电源管理**：在工业和消费电子领域中，特别是需要中等功率输出的电源管理模块中，如工业控制设备、通信基站和电源适配器。
2. **电动工具**：用于电动工具如电动钻、电动锯等的电机驱动控制，支持设备的高效运行和长时间使用。
3. **UPS和逆变器**：在不间断电源系统（UPS）和电力逆变器中，5R399P-VB 可以用于稳定的电源输出和高效的电能转换，确保设备和系统在停电时的可靠性。
4. **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，5R399P-VB 可以作为逆变器电路的关键部件，支持太阳能能量的有效转换和电网接入。
5. **医疗设备**：应用于高压医疗设备如X射线机和核磁共振设备的电力管理和功率控制模块，确保医疗设备的安全和性能。
由于其高可靠性、中等导通电阻和适中的电流承载能力，5R399P-VB 在各种需要高压和中等功率控制的应用中表现出色，是工业电子和能源领域中重要的元件之一。
