--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**60N04KUG-VB TO263**是一款高性能单N沟道功率MOSFET,专为中电压和高电流应用而设计。采用TO263封装,具有优秀的功率处理能力和低导通电阻,适用于要求高效能和可靠性能的功率电子系统和控制应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 60N04KUG-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/FC/wKgaomaDp8WAYotJAAMEkc6E0eo802.png)
### 应用领域和模块示例
**60N04KUG-VB TO263**适用于以下多个领域和模块,以提供稳定和高效的功率控制:
1. **电动汽车电池管理**:
- 在电动汽车电池管理系统中,需要能够处理高电流和快速开关的功率器件。这款MOSFET可用于电池管理系统中的充放电控制和电池保护电路,确保电池组的安全和效率。
2. **电源模块**:
- 在高性能电源模块中,需要能够提供高效率和低压降的功率开关器件。60N04KUG-VB的低导通电阻和高电流承受能力使其适合于电源模块中的开关电路,提高系统的功率密度和效率。
3. **工业电子**:
- 工业电子设备需要能够承受高电压和高电流并保持稳定的功率输出。这款MOSFET可用于工业电子控制器、电动工具和自动化系统中的功率开关和电流控制部分,确保设备的高效运行。
4. **电源逆变器**:
- 在电力电子系统中,逆变器需要能够实现高效能量转换并具备良好的动态响应。60N04KUG-VB的快速开关特性和低导通电阻使其成为太阳能逆变器和其他电力逆变器中的理想选择。
5. **服务器电源**:
- 在数据中心和服务器设备中,需要能够提供高效能力转换和稳定电力输出的功率器件。这款MOSFET可用于服务器电源单元中的功率开关电路,以支持高性能计算和数据处理需求。
通过以上示例,可以看出60N04KUG-VB TO263 MOSFET在多个领域和应用模块中的广泛适用性,为电子工程师和系统设计者提供了高性能和可靠的功率开关解决方案。
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