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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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60N06-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 60N06-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

**型号:** 60N06-VB  
**封装:** TO263  
**配置:** 单N沟道  
**VDS:** 60V  
**VGS:** 20(±V)  
**Vth:** 1.7V  
**RDS(ON):** 
- 12mΩ @ VGS=4.5V  
- 11mΩ @ VGS=10V  
**ID:** 75A  
**技术:** Trench

60N06-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO263封装,适用于中功率应用。它具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS),以及1.7V的门限电压(Vth)。其导通电阻(RDS(ON))在不同栅极-源极电压下为12mΩ(在VGS=4.5V时)和11mΩ(在VGS=10V时),最大连续漏极电流(ID)为75A。采用Trench技术的设计,能够提供优异的导通特性和高效的功率管理能力。

### 详细参数说明

| 参数                | 数值        |
|-------------------|-----------|
| 型号                | 60N06-VB   |
| 封装                | TO263      |
| 配置                | 单N沟道     |
| 漏极-源极电压(VDS) | 60V        |
| 栅极-源极电压(VGS) | 20(±V)   |
| 门限电压(Vth)      | 1.7V       |
| 导通电阻(RDS(ON))  | 12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V |
| 最大连续漏极电流(ID)| 75A        |
| 技术                | Trench    |

### 应用领域与模块举例

1. **电源模块(Power Modules):**
  60N06-VB MOSFET适用于各类电源模块中的功率开关电路。其低导通电阻和高电流能力使其能够有效地处理中功率转换和稳定的电源输出需求。

2. **电动工具和电动车辆(Power Tools and Electric Vehicles):**
  在需要处理中等功率和高电流的电动工具和电动车辆中,这款MOSFET可以作为关键的功率开关元件。其优秀的电性能和稳定的工作特性有助于提升设备的功率密度和运行效率。

3. **电源管理单元(Power Management Units):**
  在需要高效能量管理和稳定电压输出的应用中,如电源管理单元和电动机控制器中,60N06-VB MOSFET可以提供可靠的电源开关控制和功率管理。

4. **DC-DC转换器(DC-DC Converters):**
  在需要进行高效率电能转换和电压调节的DC-DC转换器中,这款MOSFET能够支持各种便携设备和电子产品的电能管理需求。

通过以上示例,60N06-VB MOSFET展示了其在中功率、高电流和高效能量管理应用场景中的优越性能,适合于电源模块、电动工具、电动车辆、电源管理单元和DC-DC转换器等多个领域的关键电路设计。

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