--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**65R950-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO251封装。该器件采用SJ_Multi-EPI技术,具有适中的漏源电压和较高的阈值电压,适合中功率应用需求。
### 详细参数说明
- **型号**: 65R950-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 950mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F8/69/wKgaomaExnOAXKuxAAGFMx1tzmc738.png)
### 应用领域和模块示例
**65R950-VB** 可以在以下领域和模块中发挥作用:
1. **电源适配器**:
- 在低至中功率的开关电源适配器中,用作开关器件,支持高效率和稳定的电源转换,适合家用和商用电子设备。
2. **工业控制**:
- 用于工业自动化设备的电源开关和控制,例如PLC系统、马达驱动器、工厂自动化中的电气控制系统等。
3. **照明应用**:
- 在LED驱动电路中,特别是需要中功率输出的LED照明系统,如户外照明、车库灯等。
4. **电动工具**:
- 作为电动工具中电机驱动电路的一部分,支持钻机、电锤、电动割草机等设备的高效能操作。
5. **电动汽车充电桩**:
- 在电动汽车充电桩中,用于电力转换和电池管理单元的开关控制,确保高效、安全的电池充电过程。
通过以上示例,可以看出65R950-VB适用于需要中功率、中电压的各种电子和电气应用,为设计者提供了可靠的功率管理解决方案。
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