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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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6679GS-A-VB一款Single-P沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6679GS-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-P

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、6679GS-A-VB产品简介

6679GS-A-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO263封装,具有负漏源电压特性,适合需要反向电压控制的应用场合。该器件结合了Trench技术,提供低导通电阻和高效能特性,适用于要求高性能功率开关的设计。

### 二、6679GS-A-VB详细参数说明

| 参数 | 数值 | 备注 |
| --- | --- | --- |
| **封装类型** | TO263 | 表面贴装封装 |
| **配置** | 单P沟道 | 单通道P沟道MOSFET |
| **VDS (漏源电压)** | -40V | 适用于负漏源电压应用 |
| **VGS (栅源电压)** | ±20V | 栅源电压范围 |
| **Vth (阈值电压)** | -2V | 栅源开启电压 |
| **RDS(ON) @ VGS=4.5V** | 15.36mΩ | 导通电阻 |
| **RDS(ON) @ VGS=10V** | 12mΩ | 导通电阻 |
| **ID (漏极电流)** | -60A | 最大连续电流 |
| **技术** | Trench | Trench结构,优化功率转换效率 |

### 三、6679GS-A-VB的应用领域和模块

6679GS-A-VB适用于需要负漏源电压控制和高电流承载能力的电子设备和系统:

1. **电源反向保护**
  - **应用场景**:用于电源管理单元中的反向电压保护和开关控制。
  - **示例**:在各类电子设备和电源系统中,如充电器、逆变器和DC-DC转换器,6679GS-A-VB能够有效防止反向电压对电路和设备的损害,保证设备的稳定运行和长期可靠性。

2. **电动汽车充电控制**
  - **应用场景**:适用于电动汽车充电控制模块中的反向电流管理和电池保护。
  - **示例**:在电动汽车的充电桩和电池管理系统中,6679GS-A-VB可以实现高效的反向电压控制和电流管理,确保电池组件和充电设备的安全运行和高效充电。

3. **工业自动化**
  - **应用场景**:用于工业控制系统中的电源开关和反向电流保护。
  - **示例**:在工厂自动化设备、机器人控制和电子测量设备中,6679GS-A-VB可以提供可靠的电源开关功能和反向电压保护,确保设备操作的稳定性和安全性。

综上所述,6679GS-A-VB是一款适用于负漏源电压应用的单P沟道MOSFET,通过其高效的导通特性和负电压控制能力,广泛应用于电源反向保护、电动汽车充电控制和工业自动化等领域,为各类电子设备和系统提供稳定可靠的电源管理解决方案。

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