--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Dual-P+P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:6923O-VB**
6923O-VB 是一款双P沟道和P沟道配置的功率MOSFET,采用Trench技术,适用于负责任的电子应用,提供可靠的性能和效率。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TSSOP8
- **配置**:双P+P沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:-30V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:55mΩ @ VGS=4.5V, 36mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:-5.2A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
6923O-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电池管理**:用于移动设备和电池驱动电路中,管理和优化电池充放电过程,提高电池的使用寿命和效率。
2. **电源开关**:作为低压电源开关和控制器,用于便携式电子设备、平板电脑和智能手机等产品的电源管理。
3. **电动工具**:在电动工具和电动车辆中的电机控制和电池管理系统中,实现高效能和可靠的电源管理。
4. **电动汽车充电**:应用于电动汽车充电系统中的功率开关和电流控制,确保安全和高效的充电过程。
5. **工业自动化**:在工业控制和自动化系统中的电源管理和电动机控制中,提供稳定的电源转换和保护功能。
6923O-VB 的设计和性能使其成为多种电子设备和系统中关键的功率管理和控制组件,为各种应用提供高效、可靠的电源解决方案。
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