### 产品简介
**6925GY-VB** 是一款双P+P-沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。该器件采用Trench技术，具有低阈值电压和低导通电阻，适合低电压驱动和电池供电系统中的功率管理应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 6925GY-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 双P+P-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 75mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
**6925GY-VB** 可以在以下领域和模块中发挥作用：
1. **移动设备**：
- 适用于便携式设备中的电池管理系统，如智能手机和平板电脑的电源管理和功率开关。
2. **低功耗电子设备**：
- 在需要低功耗和高效率的电子设备中，作为电池供电系统的功率开关和保护装置。
3. **电源管理**：
- 在低电压电源管理中，如电池驱动的便携式设备、消费类电子产品和无线传感器网络中的功率开关应用。
4. **便携式医疗设备**：
- 在便携式医疗诊断设备和电子治疗设备中，用于电池管理和高效能源转换。
5. **电动工具**：
- 在便携式电动工具和手持设备中的电动机控制系统，提供高效的电源管理和电机驱动能力。
通过以上示例，6925GY-VB适用于需要低电压和低功耗的应用场景，为设计者提供了紧凑、高效的解决方案，特别适合便携式和移动设备的电源管理和功率控制需求。
