--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:6N60L-TF3-T-VB**
6N60L-TF3-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用Plannar技术,具备高电压和中等电流承受能力,适合需要稳定功率控制的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:30V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:7A
- **技术**:Plannar
### 应用领域和模块
6N60L-TF3-T-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源逆变器**:适用于工业和家庭逆变器系统,将直流电源转换为交流电,如UPS系统和太阳能逆变器。
2. **电动汽车充电器**:用于电动车和混合动力车辆的充电设备,管理和控制电流输出,确保安全和高效的充电过程。
3. **电源管理**:作为工业设备和机器人系统中的功率开关和电源管理器件,提供稳定的电力输出和保护功能。
4. **电动工具**:在电动工具中,用于电机驱动和功率控制电路,支持高效能的工具操作。
5. **家电产品**:应用于空调系统、电动风扇等家电产品中,作为电源管理和功率控制的关键部件,提高能源效率和稳定性。
6N60L-TF3-T-VB 的设计使其能够在高电压环境下稳定运行,适合需要处理中等功率需求的应用场合,如家庭电子产品、工业自动化设备和新能源应用中的功率控制和管理。
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