### 6R190C6-VB MOSFET 产品简介
6R190C6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装。它具有650V的漏源电压和20A的漏电流能力，适合于中等电压和电流处理能力的应用场合。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有低导通电阻和良好的热稳定性，适用于工业和消费电子设备中的功率控制和开关应用。
### 6R190C6-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**：TO263
- **极性配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：650V
- **栅源电压 (VGS)**：30V (±)
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **漏电流 (ID)**：20A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI
### 6R190C6-VB MOSFET 应用领域与模块示例
1. **电源供应模块**：6R190C6-VB适用于电源供应模块中的开关电源控制。其中等电压和电流处理能力使其能够有效地控制电源开关和调节，提高设备的能效和稳定性。
2. **工业自动化**：在工业自动化系统中，这款MOSFET可以作为各种电机驱动器和开关器件使用。其良好的导通特性和热稳定性确保了设备在高负载和恶劣工作环境下的可靠运行。
3. **消费电子产品**：例如电视机和音响设备中的电源管理和开关控制电路中，6R190C6-VB的性能可以提升设备的能效，同时减少功耗和热量产生。
通过以上应用示例，可以看出6R190C6-VB MOSFET适用于中等功率要求的多种应用领域，包括电源供应模块、工业自动化和消费电子产品等，为这些领域的电子设备提供了可靠的功率控制解决方案。
