--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**6R450E6-VB TO220F MOSFET**
6R450E6-VB TO220F是一款单通道N沟道MOSFET,设计用于高压应用。它采用了Plannar技术,具备稳定的性能和可靠的工作特性。该型号适合需要高耐压和中等导通电阻的电子应用。
### 2. 参数说明
- **包装形式:** TO220F
- **通道配置:** 单N沟道
- **耐压(VDS):** 650V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±30V
- **门阈电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 320mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 20A
- **技术特性:** Plannar
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/F7/FC/wKgaomaDqQqAdGxRAADfXFAmK7Q379.png)
### 3. 应用示例
6R450E6-VB TO220F MOSFET适用于以下领域和模块:
- **电源转换器:** 在电源转换器和逆变器中,这款MOSFET可用于高效率的DC-DC变换器和AC-DC整流器,帮助减少能量损耗并提高能源利用率。
- **电动车充电器:** 作为电动车充电器中的开关器件,能够支持高功率的电池充电和快速充电技术,确保电动车辆的高效运行和长寿命电池。
- **工业控制系统:** 在工业控制系统中,如机械设备的电机控制和自动化设备的电源管理,这款器件能够提供稳定的电源开关和高频率的操作,满足工业环境的需求。
这些应用示例展示了6R450E6-VB TO220F MOSFET在高功率、高压和高效能应用中的广泛应用,适用于工业、能源和交通运输领域的多种应用场景。
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