--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
**75939S-VB TO263 MOSFET**
75939S-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,设计用于中等电流和较高电压应用。具有低导通电阻和良好的功率处理能力,适合要求高效能和可靠性的电子设备。
### 2. 参数说明
- **包装形式:** TO263
- **通道配置:** 单N沟道
- **耐压(VDS):** 200V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **门阈电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 48mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 40A
- **技术特性:** Trench
### 3. 应用示例
75939S-VB TO263 MOSFET适用于以下领域和模块:
- **电源转换器:** 在高压DC-DC变换器和AC-DC整流器中,能够提供高效的电能转换和低损耗的功率管理,适用于工业电源、通信设备和高端消费电子产品。
- **电动车辆:** 作为电动车辆中电机驱动器的关键部件,如电动汽车和电动自行车的电机控制单元,能够提供高效的功率传输和动态响应能力。
- **工业自动化:** 在工业机器人、自动化设备和电力工具中,用于电机控制和功率逆变器,能够支持高频率开关和长时间的稳定运行。
这些示例展示了75939S-VB TO263 MOSFET在高电压、中等电流和高功率要求的电子和电气设备中的广泛应用,适合于工业自动化、电动交通和高性能电源应用。
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