--- 产品参数 ---
- 封装 SOT669
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详细:
型号:71480E-VB
封装:SOT669
配置:单N沟道
耐压(VDS):80V
栅极-源极电压(VGS):±20V
阈值电压(Vth):1.4V
导通电阻(RDS(ON)):7.2mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
漏极电流(ID):90A
技术:Trench
### 2. 详细的参数说明:
- **型号**:71480E-VB
- **封装**:SOT669
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:80V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:1.4V
- **导通电阻(RDS(ON))**:7.2mΩ @ VGS=4.5V, 6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:90A
- **技术**:Trench
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/0B/F1/wKgZomc8PpqACBWoAADREhvR1bg687.png)
### 3. 适用领域和模块示例:
71480E-VB MOSFET在以下领域和模块中具有广泛的应用:
- **电源管理**:适用于高频开关电源和DC-DC转换器,能够提供高效的电力转换和稳定的电流输出。
- **电动工具**:作为电动工具的电机控制器件,能够处理高功率和高频率的开关操作,确保工具的高效能和长寿命。
- **电动车辆**:在电动汽车和电动自行车的电机驱动系统中,71480E-VB 可以提供高效的能量转换和驱动效率,支持长途驾驶和快速充电。
- **工业自动化**:在工业设备的电源管理和控制系统中,这款MOSFET可以作为关键组件,实现高效的电力分配和设备自动化控制。
这些示例展示了71480E-VB MOSFET在高功率、高效率应用中的优异性能和广泛适用性,适合于多种工业和电子设备的要求。
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