### 1. 产品简介
71560E-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT669 封装。它具有60V的漏极-源极电压（VDS），适合中功率应用。该产品采用了 Trench 技术，具有低导通电阻和高性能。
### 2. 参数说明
- **封装类型：** SOT669
- **通道类型：** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1~3V
- **导通电阻（RDS(ON))：**
- 7.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 6.2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 64A
- **技术：** Trench
### 3. 应用示例
71560E-VB 在多种领域和模块中具有广泛的适用性，以下是一些示例：
- **电源转换器：** 在高效率的电源转换器中，如电池管理系统和 DC-DC 变换器，71560E-VB 的低导通电阻（特别是在高电压下的6.2mΩ @ 10V）和高漏极电流能力可以提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
- **电动工具和家电控制：** 在需要高性能和长时间运行的电动工具和家电控制系统中，71560E-VB 的快速开关特性和低导通电阻使其适合于高频率操作和快速响应需求。
- **汽车电子：** 在汽车电子系统中，如电动车辆的电机驱动和车载充电器，71560E-VB 的高电流承载能力和稳定性能够满足汽车电子中的功率管理和控制要求。
这些示例展示了 71560E-VB 在处理高电流和中功率下的优越性能和广泛适用性，通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性，支持了多个领域的电子和电源管理应用需求。
