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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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75N03RG-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 75N03RG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

75N03RG-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),适合中低压力的应用场景。该产品采用了 Trench 技术,具有极低的导通电阻和高电流承载能力。

### 2. 参数说明

- **封装类型:** TO263
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
 - 2.7mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.4mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 98A
- **技术:** Trench

### 3. 应用示例

75N03RG-VB 在多种领域和模块中具有广泛的适用性,以下是一些示例:

- **电源转换器和稳压器:** 在需要高效率和低压降的电源转换和稳压应用中,75N03RG-VB 的极低导通电阻(如在10V时仅为2.4mΩ)使其特别适合用于高电流的功率开关和能量转换。

- **电动工具和汽车电子:** 在需要高电流处理能力和稳定性能的电动工具电机驱动、汽车电动化系统的电池管理和电机控制中,75N03RG-VB 可以提供可靠的功率开关和高效的能量转换,支持电动工具和电动车辆的性能要求。

- **工业自动化和机器人控制:** 在工业自动化设备和机器人控制系统中,需要能够快速响应和高电流驱动的功率器件,75N03RG-VB 的高电流承载能力和低导通电阻能够确保设备的高效运行和长期稳定性。

这些示例突显了 75N03RG-VB 在高电流、低压降和高效能转换方面的优越性能和广泛适用性,通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性,能够满足多种功率管理和电能转换应用的需求。

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