### 1. 产品简介：
VBsemi 75N3LLH6-VB TO252 是一款单通道 N 型功率 MOSFET，采用了Trench沟槽结构技术，设计用于要求高效率和低导通电阻的应用场合。该器件具备30V的漏极-源极电压（VDS），以及20V的最大栅极-源极电压（VGS）范围。优化的导通电阻和开关特性使其适用于高电流和快速开关的功率控制电路。
### 2. 详细参数说明：
- **包装类型（Package）**：TO252
- **结构配置（Configuration）**：单 N 型通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：30V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V（典型）
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：100A
- **技术特性（Technology）**：Trench（沟槽结构技术）
### 3. 应用举例：
75N3LLH6-VB TO252 在多个领域和模块中具有广泛应用：
- **电源管理**：用于高效率的开关电源、稳压器和DC-DC转换器模块中，特别适用于需要高电流密度和低功率损耗的应用。
- **电动工具**：在需要高功率输出和频繁开关的电动工具驱动电路中，能够提供稳定的功率输出和高效的能量转换。
- **汽车电子**：在汽车电子系统中，如电动汽车的电池管理系统和驱动控制单元，用于实现高效能的能源管理和电动驱动控制。
以上示例展示了该产品在电源管理、电动工具和汽车电子领域中的应用潜力，体现了其在高电压、高电流和低导通电阻要求下的优越性能和广泛适用性。
