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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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75N75L-TA3-T-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 75N75L-TA3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

75N75L-TA3-T-VB 是一款高性能单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220 封装。它具有80V的漏极-源极电压(VDS),适合需要处理高电流和中等电压的应用场景。采用先进的 Trench 技术,该器件具有低导通电阻和高效率的特点。

### 2. 参数说明

- **封装类型:** TO220
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 80V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 100A
- **技术:** Trench

### 3. 应用示例

75N75L-TA3-T-VB 在多种领域和模块中具有广泛的适用性,以下是一些示例:

- **电动车辆电机驱动:** 在电动车辆的电机控制器中,需要处理高电流和中等电压的功率开关器件。75N75L-TA3-T-VB 的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用作电动车辆的电机驱动器件,能够提供高效的功率转换和控制。

- **工业电源转换器:** 在工业电源转换器和稳压器中,需要能够快速开关和低导通电阻的 MOSFET 以提高转换效率和降低热损耗。75N75L-TA3-T-VB 可以在高效率和稳定性能下工作,支持工业设备的电源管理和能量转换需求。

- **电源模块和逆变器:** 在各种电源模块和逆变器中,需要具有高电流承载能力和优秀的热特性的功率器件。75N75L-TA3-T-VB 的先进 Trench 技术确保了其在高频率开关电路中的可靠性和稳定性,适合于工业自动化、通信设备和数据中心的电源转换应用。

这些应用示例突显了 75N75L-TA3-T-VB 在高电流、中等电压和高效率能量转换方面的优越性能和广泛适用性,通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性,支持了多个领域的功率管理和电能转换应用需求。

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