### 产品简介详述：
76143S-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。它设计用于应对高性能需求，具备30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，可正负）、1.7V的低阈值电压（Vth），以及非常低的导通电阻。在4.5V的栅极-源极电压下，导通电阻为2.7mΩ，在10V时为2.4mΩ。该器件最大漏极电流（ID）为98A，采用先进的Trench技术，提供优异的导通特性和可靠性。
### 详细参数说明：
- **封装类型：** TO263
- **沟道类型：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 2.7mΩ @ VGS=4.5V, 2.4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）：** 98A
- **技术：** Trench
### 应用举例：
1. **电源模块和电源分配系统：** 76143S-VB适用于高功率密度的直流-直流（DC-DC）转换器，如服务器和数据中心的电源管理模块，确保高效的能量转换和稳定的电力输出。
2. **电动工具和电动汽车：** 在电池管理系统（BMS）中，该型号MOSFET可用于电池组的充放电管理，提供高效的功率开关和电池保护。
3. **工业自动化设备：** 在工业控制器和驱动器中，76143S-VB能够处理高电流负载和频繁的开关操作，确保设备的稳定性和可靠性。
4. **通信设备：** 作为射频功率放大器的关键部件，该型号MOSFET支持高频率的信号处理和发射，提高通信设备的性能和覆盖范围。
76143S-VB以其高效能和优秀的导通特性，在多个领域中都有广泛的应用，特别是需要高功率密度和高效能转换的电子系统和设备中。
