### 产品简介：
MOSFET型号：76413P-VB
封装：TO220
配置：单N沟道
耐压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：1.7V
导通电阻（RDS(ON)）：28mΩ @ VGS=4.5V, 24mΩ @ VGS=10V
漏极电流（ID）：50A
技术：Trench
### 参数说明：
- **封装类型（Package）：** TO220，适合中功率应用，具有良好的散热性能和机械强度。
- **配置（Configuration）：** 单N沟道，适用于各种功率开关和控制电路设计。
- **耐压（VDS）：** 60V，能够处理中等电压范围的电路需求。
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V，支持广泛的栅极驱动电压范围。
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V，设定了启动MOSFET导通的门电压。
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 在不同的栅极驱动电压下，分别为28mΩ @ VGS=4.5V 和 24mΩ @ VGS=10V，表现出较低的导通电阻，有助于降低功耗和热损失。
- **漏极电流（ID）：** 50A，适合需要处理中等电流负载的应用场合。
- **技术特性（Technology）：** Trench，采用沟道（Trench）结构，提升了器件的开关速度和可靠性。
### 应用示例：
1. **电源管理系统：** 76413P-VB可用于电源管理单元、开关电源和电压调节器中，提供高效的能量转换和稳定的电压输出。
2. **电机驱动器：** 在电动工具、电动车辆和工业机械中，该MOSFET可作为电机驱动器的开关元件，支持高效的电机控制和能量回馈。
3. **LED照明系统：** 在LED驱动器和照明控制电路中，76413P-VB能够提供稳定的电流和电压调节，确保LED灯具的长寿命和高效能。
76413P-VB结合了较低的导通电阻和中等功率承载能力，适用于需要中等功率密度和稳定性能的各种功率电子应用领域。
