--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
76629D-VB 是一款单路 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于中等电压和高电流的应用场合。该器件采用了 Trench(沟道结构)技术,具有较低的导通电阻和高的电流承载能力,适合要求高效能转换和高性能的电子设备和系统使用。
### 详细参数说明
- **封装:** TO252
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **耐压(VDS):** 100V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 40A
- **技术:** Trench(沟道结构)
### 应用示例
76629D-VB 可广泛应用于以下领域和模块:
1. **电源管理和转换器:** 在直流-直流(DC-DC)转换器和直流-交流(DC-AC)逆变器中,作为功率开关器件使用,支持中等功率的电能转换和高效率的能量转换。
2. **电动工具和电机控制:** 适用于电动工具、小型电动车辆等的电机控制,提供高效的功率传输和电能管理。
3. **电池管理系统:** 在电池充放电管理系统中,用作开关管,实现电池充放电的精确控制和高效率的电能转换。
4. **电源适配器和充电器:** 作为开关管用于各种类型的电源适配器和充电器中,确保稳定的电能输出和快速的充电速度。
5. **工业控制和汽车电子:** 在工业自动化控制系统和汽车电子领域中,用作功率开关和电流控制器件,支持高效的电能转换和精确的功率管理。
76629D-VB 的优秀性能和可靠性使其成为多种电子设备和系统中的理想选择,特别是在对功率密度、效率和可靠性有严格要求的应用场景中表现出色。
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