--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
76633S-VB 是一款高性能单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO263 封装。它具有100V的漏极-源极电压(VDS),适合于要求较高电压承受能力的应用场合。采用先进的 Trench 技术,该器件具有低导通电阻和高效率的特点,适用于需要高电流驱动和快速开关的场景。
### 2. 参数说明
- **封装类型:** TO263
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 100V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.8V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 35mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** 45A
- **技术:** Trench
### 3. 应用示例
76633S-VB 适用于以下领域和模块:
- **电源管理:** 在电源开关和 DC-DC 变换器中,76633S-VB 可以提供可靠的电压调节和高效的功率转换,适合用于工业控制系统、通信设备和服务器电源模块等领域。
- **电动工具和电动车辆:** 作为电动工具和电动车辆的电机控制器,76633S-VB 能够处理高电流和频繁开关的要求,支持高效能的电动驱动系统。
- **电动机驱动:** 在各种类型的电动机驱动中,例如风扇驱动、水泵驱动等,76633S-VB 的高电压承受能力和低导通电阻特性,有助于提高设备的效率和可靠性。
这些应用示例展示了 76633S-VB 在高电压、高电流和高效率能量转换方面的优越性能和广泛适用性,通过其先进的 Trench 技术和优秀的电气特性,满足了多个领域中对功率管理和电能转换的要求。
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